【導讀】如果以30TB的HDD來計算，2U 12盤位的存儲服務器提供容量大概為360TB左右，但如果用上基于第八代BiCS FLASH? QLC的鎧俠LC9系列，2U服務器上限可以做到接近10PB，這樣的差距非常明顯，那么問題來了，2U服務器搭配SSD的存儲上限是如何被突破的？
先從閃存入手
容量突破自然先從閃存芯片入手，鎧俠第八代BiCS FLASH? QLC是鎧俠在3D NAND閃存技術路線上的重要里程碑，也是為2U服務器構建出超高規模存儲容量的核心基礎。
第八代BiCS FLASH?特征可圍繞架構創新、容量密度、性能能效與封裝形態展開。其采用218層垂直堆疊架構，并首次大規模引入CBA技術（CMOS直接鍵合陣列），將CMOS外圍電路晶圓與存儲單元陣列晶圓分別在各自最優的工藝溫度條件下獨立制造，再通過晶圓鍵合完成集成。
這樣的設計避免了傳統CAN和CUA架構中連接CMOS與存儲陣列的布線開銷，同時讓外圍電路與存儲單元都能在最佳熱預算下工作，也讓CMOS與存儲陣列有了更多發揮的空間。
以存儲陣列為例，第八代BiCS FLASH? QLC提供兩種單Die容量，2Tb QLC是目前為止業界最大的QLC閃存顆粒之一，其位密度達到18.3 Gb/mm2，相比第五代BiCS FLASH? QLC提升約2.3倍。另外1Tb QLC版本讀取延遲還能再改善約15%，主要用于客戶端SSD及移動設備。
接口方面，第八代BiCS FLASH?實現了3.6 Gbps的接口傳輸速率，為后續PCIe Gen5/Gen6 SSD及高性能移動存儲提供了物理層基礎。這也是第八代BiCS FLASH重要原因之一。
CMOS與存儲陣列鍵合之后，單封裝內堆疊技術也非常重要。第八代BiCS FLASH? QLC支持業界領先的32-die堆疊封裝技術，單封裝容量可達8TB，這種高集成度為數據中心E3.S/E3.L形態的高密度SSD及緊湊型移動設備提供了物理空間優勢。
將245.76TB裝入LC9 E3.L
擁有了第八代BiCS FLASH? QLC，接下來就是變成SSD量產品的問題。2U服務器實現超大容量也要從SSD的存儲形態上入手，EDSFF成為了行業內備受關注的新標準。EDSFF（Enterprise and Datacenter Standard Form Factor）是面向企業與數據中心的標準化SSD形態家族，包含E1.S/L與E3.S/L等規格，旨在取代傳統2.5英寸盤，以更高存儲密度、更優散熱與PCIe信號完整性滿足現代服務器存儲需求。
其中，E3.L是EDSFF標準家族中的長尺寸規格，與E3.S相比，E3.L在保持相同寬度與接口兼容性的前提下，擁有更長的板身空間，從而能夠容納更多NAND閃存封裝顆粒。鎧俠LC9 E3.L版本是最具標志性的規格之一，也是實現245.76TB業界最大單盤容量的關鍵載體。
LC9 E3.L形態之所以能支撐245.76TB，核心在于鎧俠在有限物理空間內實現了閃存封裝密度的極致壓縮。在采用第八代BiCS FLASH 2Tb QLC NAND前提下，每個BGA封裝內完成32顆Die堆疊，單顆封裝容量達到8TB，同時E3.L更長的板身允許搭載更多顆8TB封裝，最終疊加出245.76TB總容量。
不僅如此，鎧俠LC9還做到對PCIe 5.0，NVMe 2.0、NVMe-MI 1.2c規范支持，并具備雙端口支持服務器及高可用存儲系統架構。除了E3.L版本，鎧俠LC9還具備E3.S、2.5英寸規格版本。
鎧俠LC9 E3.L版本做到了在標準32盤位E3.L背板配置下，單臺2U服務器可實現8PB以上閃存容量；若采用40盤位背板，更可逼近10PB。若以傳統30.72TB SSD構建同等容量，需要額外7臺服務器、280塊硬盤，功耗增加約8倍，機架空間占用也大幅上升。
除此之外，鎧俠LC9系列還具備多種關鍵企業級SSD特性，包括FDP（Flexible Data Placement），靈活數據放置，降低寫入放大，延長QLC壽命。0.3 DWPD針對讀取密集型AI推理優化，支持多種安全算法，并面向后量子密碼學標準設計，采用芯片級恢復、基于奇偶校驗的錯誤管理、掉電保護。
因此，鎧俠LC9 E3.L并非簡單的加長SSD，而是鎧俠通過32-die堆疊8TB封裝與E3.L物理空間的精準匹配，在標準EDSFF框架內實現了單盤245.76TB的容量突破，成為當前AI基礎設施中以盤代柜的高密度存儲標桿。為生成式AI數據湖、LLM訓練數據集存儲、RAG（檢索增強生成）推理流水線、大規模冷、溫數據歸檔提供穩定的存儲保障。
