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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負載壽命穩定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負載壽命穩定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級
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STV250N55F3：意法半導體新250A功率MOSFET
意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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STV250N55F3：意法半導體新250A功率MOSFET
意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結溫高達 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設計人員提高汽車及其他高溫應用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計
Vishay宣布推出具有長久使用壽命、溫度系數低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計。
2008-07-11
P10L 電位計
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L4600A：安捷倫全新便攜式無線電測試儀
安捷倫科技公司（NYSE：A）日前推出結構堅固的便攜式無線電測試儀，它的一鍵式功能型測試可以在軍用外場維護和中間級維護節省培訓和測試使用時間。
2008-07-10
無線電測試儀 測試工具
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150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 鋁電解電容器
Vishay宣布已擴展其150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器的功能，使該系列器件能夠提供低阻抗值、高電容與紋波電流，以及可實現高振動功能的 4 針腳版本。
2008-07-09
150 CRZ SMD 鋁電解電容器
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VLMW82：Vishay新超薄CLCC-2扁平陶瓷封裝SMD LED
Vishay推出首款采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝的高強度白光功率 SMD LED 系列。堅固耐用且具有高光效率的 VLMW82..器件具有 20K/W 的低熱阻以及 9000mcd～18000mcd 的高光功率，主要面向熱敏應用。
2008-07-09
VLMW82 SMD LED
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