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2026英飛凌寬禁帶論壇在深圳舉行

發(fā)布時間:2026-05-22 來源:轉載 責任編輯:lily

【導讀】5月21日,中國深圳訊。伴隨新能源汽車加速發(fā)展、AI算力需求激增,以及能源結構向綠色低碳轉型,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體,憑借高效率、高功率密度等優(yōu)勢,正加速在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等應用場景落地。順應這一趨勢,2026英飛凌寬禁帶論壇于5月21日在深圳舉行,匯聚產業(yè)鏈上下游伙伴,共探技術演進、應用創(chuàng)新與生態(tài)協同。


市場持續(xù)增長,寬禁帶進入規(guī)模化拐點


寬禁帶半導體市場近年來保持高速增長,據QYResearch預測,2025年至2031年間,寬禁帶功率半導體器件市場年均復合增長率(CAGR)可達21%。關鍵增長動力包括:電動汽車的普及、800V超快充基礎設施的建設、數據中心能效升級,光伏儲能等新能源電力系統(tǒng)對高壓、高效功率器件的強勁需求等。


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2026英飛凌寬禁帶論壇現場


開幕致辭環(huán)節(jié),英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉及英飛凌科技執(zhí)行副總裁兼工業(yè)與基礎設施業(yè)務首席銷售官Andreas Weisl圍繞寬禁帶半導體產業(yè)發(fā)展、市場趨勢、賦能本土客戶等話題展開了深入對話。


潘大偉表示:“寬禁帶半導體正加速推動能源轉型和產業(yè)升級。中國在新能源汽車、可再生能源、AI數據中心、人形機器人等新興領域正加速發(fā)展,為寬禁帶技術的多元應用和持續(xù)創(chuàng)新提供了廣闊空間。英飛凌依托全球領先的技術積累與廣泛的本土生態(tài)合作,為本土客戶提供定制化的系統(tǒng)級解決方案,助力客戶實現更高效、更可持續(xù)的發(fā)展。” 


Andreas Weisl表示:“以SiC和GaN為代表的寬禁帶技術,正在重新定義功率半導體在能效、功率密度和系統(tǒng)性能方面的邊界。未來中國寬禁帶半導體領域將迎來更多技術創(chuàng)新,英飛凌作為功率系統(tǒng)領域的領導者,全面覆蓋關鍵材料和技術,將通過持續(xù)創(chuàng)新為客戶增加價值,助力寬禁帶技術走向多元化應用,為行業(yè)低碳轉型提供堅實支撐。” 


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英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉(左)與英飛凌科技執(zhí)行副總裁兼工業(yè)與基礎設施業(yè)務首席銷售官Andreas Weisl(右)在論壇


技術:聚焦電網轉型、AI電源與寬禁帶創(chuàng)新


未來電力網絡正經歷深刻變革。可再生能源裝機的快速增長與電動出行的加速普及,對電力供應及能效管理提出了全新挑戰(zhàn)。英飛凌科技碳化硅創(chuàng)新與產業(yè)化Fellow Peter Friedrichs博士圍繞下一代電網轉型,深入剖析了大容量儲能系統(tǒng)對高壓半導體高效能量轉換方案的迫切需求,并系統(tǒng)介紹了英飛凌先進的碳化硅解決方案。英飛凌科技AI與電源應用副總裁Sergio Rossi博士則重點探討了氮化鎵在AI數據中心、人形機器人及電動出行等領域的獨特優(yōu)勢,展示了其如何推動更高性能、更高能效的系統(tǒng)設計,賦能未來智能應用。


此外,Yole Group 化合物半導體領域首席分析師邱柏順從產業(yè)視角,深入解讀了碳化硅與氮化鎵在幾個熱點新興領域的應用特點及優(yōu)勢。同時,來自能源基礎設施、AI數據中心、電動交通出行、機器人等應用領域的客戶、合作伙伴與英飛凌專家,也分別剖析了SiC/GaN技術在多元場景的落地實踐與融合發(fā)展,深度解讀了跨界協作如何激發(fā)行業(yè)創(chuàng)新動能。


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2026英飛凌寬禁帶論壇展區(qū)


四大展區(qū)亮點紛呈


論壇同期設有“能源基礎設施”、“AI數據中心”、“機器人” 、“電動交通出行”四大核心展區(qū),綜合展示了40余款來自英飛凌及與合作伙伴開發(fā)的創(chuàng)新產品和解決方案。


能源基礎設施展區(qū):展出了基于QDPAK 封裝的1200V CoolSiC? JFET工藝,擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,可在工業(yè)和汽車應用中實現可靠、高效的系統(tǒng)性能。而在傳統(tǒng)的光伏逆變器領域,展出了一款全氮化鎵3kW HERIC光伏逆變器參考設計,結合自研 TCM/CCM 混合調制技術,具備雙向能量流動能力,適配混合式儲能逆變器。


電動交通出行展區(qū):重點展示基于第三代HPD封裝的HybridPACK? Drive G3S新一代功率模塊,體積較上一代縮小約40%,并支持最高600Arms電流輸出,具備更高功率密度與可靠性。同時,基于BDS GaN的單級6.6kW車載充電(OBC)方案,憑借超過97%的平均效率、更高功率密度及輕量化設計,進一步推動電動汽車充電系統(tǒng)向高效、小型化發(fā)展。


AI數據中心展區(qū):展出面向高性能計算的18kW三相輸入電源方案,輸出電壓50V,效率達約97.5%,兼具高效率與高功率密度。該方案基于碳化硅五電平ANPC拓撲,結合能量緩沖電路與LLC諧振變換器,采用氮化鎵同步整流及平面變壓器架構,由新一代PSOC? P8 MCU控制,充分滿足AI服務器及數據中心對高效率、高可靠性供電的需求。


機器人展區(qū):展出基于100V GaN的人形機器人電機驅動方案,采用iGaN集成功率級、新一代控制器及電流傳感器,實現緊湊設計與靈活集成,可嵌入電機內部。通過提升開關頻率有效降低損耗并優(yōu)化系統(tǒng)效率,充分滿足人形機器人對高性能、小型化及可擴展電驅系統(tǒng)的需求。


從碳化硅到氮化鎵,從產品展示到趨勢、應用分享,英飛凌寬禁帶論壇呈現了一場高密度的技術盛宴。未來,英飛凌將持續(xù)依托深厚的技術積累與成熟的應用經驗,與產業(yè)伙伴緊密協作,不斷拓展寬禁帶技術的應用范疇,共同推動邁向更加高效與可持續(xù)的未來。



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