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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項
硅材料雖為半導體產(chǎn)業(yè)基石，但在速度、功率密度上的瓶頸日益突出。寬禁帶半導體技術(shù)為開關(guān)模式電源帶來突破，其中氮化鎵（GaN）因低電容、高擊穿電壓等優(yōu)勢成為熱門替代方案。本文剖析硅的局限與GaN的特性，探討GaN應用中的核心優(yōu)勢與實際挑戰(zhàn)，并給出解決方案，為電路設計人員提供技術(shù)實踐指引。
2025-12-16
寬禁帶半導體 氮化鎵（GaN） 硅（Si） 開關(guān)電源
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高精度電流檢測如何賦予人形機器人“肌肉感覺”
人形機器人實現(xiàn)高度擬人化的流暢運動與靈敏交互，其核心挑戰(zhàn)在于對復雜動態(tài)環(huán)境的精準控制與瞬時響應。在這一過程中，精確的電機電流檢測扮演了不可或缺的“神經(jīng)感知”角色。這些測量所得的數(shù)據(jù)，會被機器人關(guān)節(jié)處致動器的控制算法深度運用，進而助力機器人實現(xiàn)精準無誤的移動以及卓越的動態(tài)性能表現(xiàn)...
2025-12-16
電流測量 高阻測量 絕緣電阻 柵極漏電流 人形機器人
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專為車載以太網(wǎng)開發(fā)打造！克薩（Kvaser）推出Arcus 100/1000BASE-T1以太網(wǎng)轉(zhuǎn)換器，合規(guī)易用賦能車輛全測試場景
車載以太網(wǎng)憑借其高帶寬、低延遲、標準化、抗干擾等優(yōu)勢,正成為汽車電子電氣架構(gòu)（EE 架構(gòu)）升級、ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）、自動駕駛互聯(lián)的新一代核心通信技術(shù)。為了滿足工程師和開發(fā)者在車輛研發(fā)測試、車載網(wǎng)絡驗證、ECU診斷調(diào)試、OTA升級適配等場景下的需求，瑞典設備間通信（M2M）解決方案提供...
2025-12-16
車載以太網(wǎng)
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權(quán)威認證+生態(tài)合作，兆易創(chuàng)新車規(guī)芯片獲ISO 21434與ASPICE CL2國際認可
國內(nèi)領(lǐng)先的半導體供應商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）近日在汽車功能安全領(lǐng)域取得關(guān)鍵進展，成功獲得TüV萊茵頒發(fā)的ISO/SAE 21434道路車輛網(wǎng)絡安全管理體系認證，旗下GD32A7系列車規(guī)MCU的MCAL軟件亦通過ASPICE CL2級能力評估。這雙重認可不僅標志著該公司在車載網(wǎng)絡安全體系與車規(guī)級軟件開發(fā)管理上已達到國...
2025-12-15
兆易創(chuàng)新 GD32A7 車規(guī)MCU MCAL軟件 汽車電子 車規(guī)芯片 智能汽車
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簡單制勝——第二部分：探索BMS設計中的高效主動均衡“最優(yōu)解”
在電池管理系統(tǒng)（BMS）設計中，均衡能力直接決定著電池包的性能上限與壽命終點。傳統(tǒng)被動均衡方案因能量耗散與效率問題，已難以滿足高能量密度電池組的管理需求。本文旨在深入剖析幾種主流主動均衡技術(shù)的優(yōu)勢與局限，并探討如何通過創(chuàng)新的拓撲融合思路，構(gòu)建一種在復雜度與效能間取得最佳平衡的實用...
2025-12-15
BMS設計 主動均衡方案 電池管理系統(tǒng) 電池均衡技術(shù) 儲能系統(tǒng) 電動汽車BMS
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AI 芯片監(jiān)管新路徑？解析英偉達 GPU 車隊監(jiān)控軟件
英偉達推出的可追蹤GPU物理位置的車隊監(jiān)控軟件備受關(guān)注。該軟件聚焦AIGPU集群管理，通過NGC平臺整合數(shù)據(jù)，實現(xiàn)GPU狀態(tài)全方位可視化，能監(jiān)控核心性能指標，其位置檢測功能為反走私提供了新路徑。但軟件“選擇加入”的模式及僅具備觀察性、無強制干預能力的特點，使其威懾力受限，也引發(fā)了行業(yè)對工具功...
2025-12-15
AI GPU 英偉達 數(shù)據(jù)中心遠程監(jiān)控
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微信截圖_20251212174306.png "有機基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術(shù)突破")
有機基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術(shù)突破
SPHBM4在沿用標準HBM4 DRAM核心層、保障容量擴展能力的基礎上，通過接口基礎裸片的創(chuàng)新性設計實現(xiàn)了關(guān)鍵突破——I/O數(shù)據(jù)引腳數(shù)量銳減至標準HBM4的四分之一。依托有機基板替代硅基板、更高工作頻率及4:1串行化技術(shù)的協(xié)同作用，這款新型內(nèi)存不僅適配更低凸點間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內(nèi)存堆...
2025-12-12
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會 SPHBM4 HBM4 封裝 內(nèi)存
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