【導讀】2026 年 7 月 30 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出其第三代（Gen3）DDR5多路復用雙列直插內存模塊（MRDIMM）芯片組解決方案，可實現高達16,000兆次傳輸/秒（MT/s）速率的服務器級MRDIMM。該系列解決方案專為應對人工智能（AI）數據中心、云基礎設施及加速計算工作負載等場景中，日益增長的內存帶寬需求而設計。
瑞薩將于2026年8月4日至6日在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行的FMS 2026（存儲與內存未來大會）上展示第三代MRDIMM內存接口組件（展位號#807），包括支持下一代MRDIMM性能的第三代多路復用寄存時鐘驅動器（MRCD，RRG5013x）和多路復用數據緩沖器（MDB，RRG5103x）。
隨著AI模型規模持續擴大、計算工作負載的數據密集度不斷攀升，系統架構師在確保與現有服務器平臺兼容的同時，面臨著提供更高內存帶寬的嚴峻挑戰。瑞薩第三代MRDIMM解決方案在沿用現有DDR5基礎設施的基礎上，較第二代方案可實現25%的內存帶寬提升。這意味著服務器平臺無需進行顛覆性的架構變更，即可釋放更強的性能。
瑞薩持續提供經現場驗證且可量產的MRDIMM平臺，涵蓋MRCD、MDB、電源管理IC（PMIC）、串行存在檢測（SPD）集線器及溫度傳感器。這一平臺化策略使客戶能夠在跨代升級中靈活擴展MRDIMM性能，同時保持設計的連續性并加速產品部署。
第三代MRDIMM基于成熟的第二代產品架構，在擴展性能的同時保留了標準DIMM的外形尺寸和系統兼容性。此外，第三代產品還增強了系統的可視性與穩健性，包括設備均衡自訓練模式（DESTM）的質量指示狀態，該功能使用戶能夠微調時序和接收端均衡訓練，從而最大化裕量。
除性能提升外，瑞薩第三代MRDIMM解決方案在設計時充分考慮了系統級能效，旨在幫助客戶在日益增長的帶寬需求與系統層面的散熱設計及功耗限制之間取得平衡。詳細的功耗對比數據將在隨附的產品文檔中提供。
Amit Goel, Corporate Vice President, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD表示：“AMD長期以來一直致力于支持開放且基于標準的技術，這些技術推動了數據中心的創新，并隨著AI和HPC工作負載的不斷演進而提供了更高的靈活性。MRDIMM和瑞薩芯片組等下一代內存形態的創新，對于助力行業實現更高帶寬、更高效率以及持續的平臺可擴展性至關重要。”
Sameer Kuppahalli, Vice President and General Manager, Memory Interface Division at Renesas表示：“AI訓練和推理工作負載正在從根本上重塑數據中心基礎設施的系統內存需求，為滿足這些工作負載對內存容量及吞吐量的巨大需求，瑞薩始終走在行業前沿，推出了第三代MRDIMM芯片組組件。我們的客戶正采用瑞薩完整的芯片組組件，持續突破內存吞吐量和容量的邊界。”
瑞薩正與領先的CPU及平臺合作伙伴緊密協作，推動第三代MRDIMM在未來服務器平臺中的應用落地，進一步鞏固MRDIMM作為下一代AI與云基礎設施可擴展內存架構的地位。
供貨信息
瑞薩第三代MRDIMM MRCD（RRG5013x）和MDB（RRG5103x）現已開始向包括主要DRAM供應商在內的特定客戶提供樣品，預計將于2027年下半年實現量產供貨。
